Tipuri de aliaje de siliciu-carbon

Aliajele de siliciu-carbon (SI-C) reprezintă o clasă importantă de materiale cu compoziții și structuri diverse, fiecare adaptată pentru aplicații industriale specifice. Aceste aliaje pot fi clasificate pe scară largă pe baza compoziției chimice, a structurii de fază și a metodelor de fabricație.

Trimite anchetă

Descriere

Clasificarea prin componente primare

(1) Aliaje dominante de siliciu (SI> 70%)

Compoziție: conținut ridicat de siliciu (70-90%) cu carbon (10-30%) și impurități minore (Fe, Al, CA).

Structura: conține cristale libere de siliciu încorporate într -o matrice de carbon.

Aplicații:

Deoxidizatori de oțel (înlocuind Ferrosilicon)

Modificatori de aliaj de aluminiu

Precursor pentru producția de siliciu de înaltă puritate

(2) aliaje dominante de carbon (C> 50%)

Compoziție: conținut ridicat de carbon cu 20-40% siliciu.

Structura: grafit sau matrice de carbon amorf cu particule de Si sau SiC dispersate.

Aplicații:

Materiale refractare (garnituri de cuptor)

Aditivi conductivi (baterii, electrozi)

Carburi de turnătorie

(3) aliaje pe bază de carbură de siliciu (SIC)

Compoziție: aproape stoechiometric SiC (70% SI, 30% C).

Structura: cristale SIC legate covalent (-sic sau -sic polytipuri).

Aplicații:

Abrazivi și instrumente de tăiere

Semiconductori la temperaturi înalte

Ceramică de armură

silicon carbon alloy

Comparație de note comerciale

Tip	Conținut Si	C Conținut	Caracteristică cheie	Utilizare primară
Sic metalurgic	65-70%	30-35%	Duritate ridicată	Aditivi din oțel
Si-C de calitate baterie	40-60%	40-60%	Nano-poros	Li-ion Anodes
Sic refractar	30%	70%	Rezistent la șocuri termice	Piese cuptor
SIC de calitate electronică	50%	50%	Puritate mare	Dispozitive electrice

silicon carbon alloy

Soiuri funcționale speciale

(1) aliaje poroase Si-C

Caracteristici: suprafață înaltă (50-500 m²/g).

Utilizări: adsorbție cu gaz, suporturi de catalizator.

(2) Aliaje SI-C gradient

Caracteristici: Compoziția variază treptat pe structură.

Utilizări: acoperiri de barieră termică, electrozi gradați.

(3) SiC cu un singur cristal

Metode de creștere: Lely modificat, HTCVD.

Note: 4H-SIC, 6H-SIC pentru electronice de putere.

Proprietăți cheie: bandgap larg (3,2 eV), tensiune de defalcare ridicată.

Tag-uri populare: Tipuri de aliaje de siliciu-carbon, China tipuri de producători de aliaje de siliciu-carbon, furnizori, fabrică