Unul dintre carbura de siliciu la nivel înalt de nivel înalt

Cu aplicarea largă aCarbură de siliciuDispozitive de putere cu efect de câmp semiconductor cu oxid de metal (MOSFET), problemele de fiabilitate a porții cu care se confruntă acestea trebuie rezolvate urgent, această lucrare revizuiește structura porții porții Planare SIC SIC Vertical MOSFET Dispozitive și metodele de screening de oxigen de poartă utilizate frecvent în industrie, introduce modele fizice și metode de screening.

1.Carbon/Carbură de siliciueste un nou tip de material de rezistență la frecare pe ceramică de înaltă performanță dezvoltat în ultimii ani, care are o serie de avantaje, cum ar fi densitatea scăzută, rezistența bună la oxidare, performanța de frecare ridicată și performanța stabilă și are o gamă largă de perspective de aplicare în domeniul frânei de încărcare cu energie ridicată, cum ar fi trenuri de mare viteză, aeronave și vehicule grele. Impregnarea cu topirea reactivă este o modalitate eficientă de a prepara compozite de frecare din carbură de carbon/siliciu. Pe baza proiectării compozitelor de frecare a carburii de carbon/siliciu, condițiile termodinamice ale procesului de penetrare a topiturii reactive, caracteristicile de bază și legile cinetice ale sistemului de reacție SI-C sunt analizate în profunzime. În această lucrare, sunt discutate sistematic caracteristicile microstructurii și proprietățile de frecare și uzură ale a două compozite tipice C/SIC, cum ar fi modelarea cu fibre scurte și acul tridimensional. În același timp, este analizată aplicarea metodelor avansate de detectare a ingineriei, cum ar fi imagistica termică în infraroșu, transmisia cu raze X și CT industrial în componentele compozite de frecare a carburii de carbon/siliciu.

Tag-uri populare: Unul dintre carbura de siliciu la nivel înalt, China, unul dintre producătorii de carburi de siliciu, furnizori, fabrici de metale înalte